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    天岳先進 碳化硅單晶襯底
    襯底電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣,為使材料能滿足不同芯片的功能要求,需要制備電學性能不同的碳化硅襯底。
    按照電學性能的不同,碳化硅襯底可分為高電阻率的半絕緣型碳化硅襯底,和低電阻率的導電型碳化硅襯底。

    4H n-type

    4H-導電型碳化硅單晶襯底

    4H-導電型碳化硅單晶襯底產品信息詳情

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    4H Semi-Insulating-type

    4H-半絕緣型碳化硅單晶襯底

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